收藏本站
《TFC'13全国薄膜技术学术报告会论文摘要集》2013年
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

PA-MBE法制备高质量ZnO、ZnMgO单晶薄膜及ZnO/Zn_(0.9)Mg_(0.1)O多量子阱结构

陈巍   丁萍   张宏海   潘新花   陈姗姗   黄靖云   叶志镇  
【摘要】:ZnO是直接带隙半导体材料,她室温禁带宽度为3.37 eV,气温激子束缚能为60 meV,在筹划蓝光-紫外光发光二极管和激光器等光电器件方面有宏伟优势。ZnO薄膜的筹措方法有很多,如:磁控溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、五金有机化合物化学气相淀积,分子束外延等等。其中分子束外延技术易于实现高质量ZnO薄膜,且对薄膜进行原子级的确切控制,这对于光电器件的布局设计和频率的增长具有关键意义。本文采用射频等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)艺术在c面蓝宝石衬底上生长ZnO及ZnMgO单晶薄膜。穿越引入MgO缓冲层,使得降低了衬底与ZnO间的晶格失配,增长了单晶薄膜的结晶质量。外延获得的ZnO及ZnMgO单晶薄膜具有较高的迁移率(~60 cm2V~(-1)s~(-1)),较低的电子浓度。尤其值得一提的是,高分辨XRD摇摆曲线(0002)面半高宽突出小(~43 arc sec),由此计算得到的螺型位错密度约为4×10~6 cm~(-2),此数值达到国际领先水平。在此基础上,筹备了不同阱层宽度之ZnO/Zn0.9Mg0.1O多量子阱结构,她周期数为5,阱宽分别为3 nm、5 nm、8 nm和10 nm。高分辨XRD高考,多量子阱结构具有显著的P条纹;气温PL条件测试,多量子阱结构的激子发射峰半高度非常窄(~8.3 meV),上述结果表明我们制备的氧分子阱具有很好的结晶质量。同时,还考察到了强烈的氧分子限域效应,随着阱宽减小,量子阱PL闪光峰逐渐蓝移。另外,使用变温PL条件及相关激活能的争鸣计算进一步分析了量子阱中激子发射的热淬灭行为。
【笔者单位】: 台湾大学硅材料国家主要实验室
【列入号】:TN304.055;O471.1

手机知网App
【相似文献】
中华澳门永利网上赌场数据库
明日6条
1
罗萍;闫慧青;鲁文东;呙成绩;李会娟;焦萌;周德瑞;; 预先电沉积ZnO/Zn(OH)_2对烧结镍电极的影响[J];资源技术;2007年04为期
2
王坤;崔淑德;侯利娜;丁志博;袁洪涛;杜小龙;薛其坤;; 用武汉背散射/沟道技术研究ZnO/Zn_(0.9)Mg_(0.1)O/ZnO异质结的资源性应变[J];和合学报;2006年06为期
3
赵国刚;孟凡娜;; 一维ZnO/Zn_(2.33)Sb_(0.67)O_4米异质结构的筹措及气敏特性[J];山西科技大学学报;2010年03为期
4
关雪;李会泉;柳海涛;郭奋;姚星星;; ZnO/Zn复配催化剂热分解4,4′-二苯甲烷二氨基甲酸甲酯制备4,4′-二苯甲烷二异氰酸酯的研讨[J];京城化工大学学报(科学版);2009年04为期
5
路丽霞;季辉;汤庆鑫;童艳红;刘益春;; ZnO/Zn规模对纳米ZnO薄膜光学性质的影响[J];闪光学报;2006年02为期
6
钱文华;班士良;; 纤锌矿ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO非对称双量子阱中电子的带间跃迁光吸收[J];广东大学学报(科学版);2018年05为期
中华重要会议论文全文数据库
明日1条
1
陈巍;丁萍;张宏海;潘新花;陈姗姗;黄靖云;叶志镇;; PA-MBE法制备高质量ZnO、ZnMgO单晶薄膜及ZnO/Zn_(0.9)Mg_(0.1)O多量子阱结构[A];TFC'13全国薄膜技术学术报告会论文摘要集[C];2013年
中华硕士澳门永利赌场全文数据库
明日1条
1
张慧媛; 太阳能裂解ZnO/Zn工质中热输运特性[D];合肥邮电学院;2015年
 霎时付款方式
 订购知网充值卡
 订购热线
 救助中心




  • 
       
    <sup id="d2a1debf"></sup>
      <hr id="a372bf74"></hr>